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    高純蒙脫石的表面電性
    來源:www.reqtest.cn 發布時間:2022年07月21日
      高純蒙脫石的表面電性

      高純蒙脫石的表面電性來自于以下三方面:

      層電荷:每個晶胞可達0.6,且不受介質pH值的影響。這是蒙脫石表面負電性的主要原因。


    高純蒙脫石


      破鍵電荷:產生于四面體片的基面、八面體片的端面,系Si-O破鍵和Al-O(OH)破鍵的水解作用所致。當pH值小于7時,破鍵吸引H+,表面帶正電;當pH值大于7時,表面帶負電。

      八面體片中離子離解形成的電荷:在酸性介質中,OH-離解占優勢,端面電荷為正電;在堿性介質中,Al3+離解占優勢,端面電荷為負電;pH值為9.1左右為等電點。

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